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氧化铪靶材HfO2氮化钽靶材
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- 科研实验*氧化铪靶材HfO2氮化钽靶材TaN电子束镀膜蒸发料 产品介绍 氧化铪(HfO2)常温常压下为白色固体,熔点:2758℃,沸点:5400℃,密度:9.68g/cm,难溶于水,常温常压下稳定,避免与酸接触;当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪;用于光谱分析及催化剂体系,耐熔材料;是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起**度的关注,由于它**可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅**绝缘层二氧化硅(SiO),以解决目前MOSFET中传统SiO/Si结构的发展的尺寸**限问题。
产品参数 中文名 二氧化铪 化学式 HfO2 沸点 5400℃ 分子量 210.49 熔点 2758℃ 密 度 9.68g/cm3 纯度 99.99% 产品介绍 氮化钽(TaN)为黑色六方结晶或黄绿色结,不溶于水、酸,加热至2000℃即释放出氮气。
用来制造片状电阻的材料,氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀;用作超硬质材料添加剂,用于喷涂,增加变压器、集成线路、二**管的电稳定性。
产品参数 中文名 氮化钽 化学式 TaN 分子量 194.95 熔点 3090°C 密度 13.4g/cm3 纯度99.99% 支持合金靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!! 服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。
科研单位货到付款,*,售后无忧! 产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装 适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。
加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库 标签: 氧化铪靶 氮化钽靶 磁控溅射 氧化铪靶材 氮化钽靶材 磁控溅射靶材 北京市钽靶材 北京市钽靶材厂家
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